【TechWeb】7 月 15 日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子 6 月 30 日在官網(wǎng)宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝，已在當日開始初步生產(chǎn)芯片。

而在三星電子的 3nm 制程工藝開始初步生產(chǎn)芯片之后，臺積電 3nm 制程工藝的量產(chǎn)進展，也就備受關(guān)注，臺積電的 CEO 魏哲家，在周四下午的財報分析師電話會議上，也給出了回應。

臺積電公布的文件顯示，在周四下午的財報分析師電話會議上，魏哲家透露他們在按計劃推進 3nm 工藝在下半年以可觀的良品率量產(chǎn)。

另外，魏哲家在會上還表示，他們預計 3nm 制程工藝在明年上半年就會為他們帶來營收，在高性能計算和智能手機應用的推動下，產(chǎn)能在明年將平穩(wěn)提升。

同此前已量產(chǎn)的 7nm 和 5nm 一樣，臺積電的 3nm 工藝也會有第二代（N3E）。魏哲家在財報分析師電話會議上也透露，他們的 N3E 工藝，將進一步擴展他們的 3nm 工藝家族，性能、功耗和良品率將進一步提升，計劃在 3nm 工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)。

在 3nm 制程工藝上，臺積電和三星電子是不同的路線。三星電子的 3nm 制程工藝，率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，臺積電則是繼續(xù)采用鰭式場效應晶體管（FinFET）架構(gòu)。