之前傳聞顯示，RTX 40 系列將采用臺積電 4nm 制造工藝，而在正式發布的時候，官方標注為 "4N"，和臺積電說的 "N4" 正好反過來。這是什么鬼？我們的第一反應，是這屬于定制版的臺積電 4nm，結果只猜對了一半。據了解 4N 工藝確實是 NVIDIA 與臺積電定制的，但并非 4nm，而是 5nm，所以完整說法應該是臺積電 4N 5nm 工藝。

這也再次證明，臺積電的 4nm、5nm 工藝并無本質區別，前者主要是提高了晶體管集成度。當然了，總要比 RTX 30 系列的三星 N8 8nm 強太多了。

按照黃仁勛的說法，憑借新的架構和工藝，RTX 40 系列的能效是 RTX 30 系列的兩倍。

數據顯示，Ada Lovelace 架構的大核心 AD102 集成了 763 億個晶體管，核心面積 608.4 平方毫米，密度為 1.255 億個 / 平方毫米，內置 18176 個 CUDA 核心、142 個第三代光追核心、568 個第四代張量核心。

相比之下，三星 8nm Ampere GA102 核心是 283 億個晶體管、628 平方毫米，密度為 4510 萬個 / 平方毫米。

換言之，臺積電 4N 的集成密度是三星 N8 的足足 2.8 倍！

( 還是有廠商誤寫作 4nm )